Número de Producto del Fabricante:
IRFP250
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
IRFP250-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 33A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12875904
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ENVIAR
IRFP250 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
PowerMESH™ II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
33A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
158 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2850 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IRFP
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-2639-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFP250PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IRFP250PBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.69
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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