SCT10N120
Número de Producto del Fabricante:

SCT10N120

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

SCT10N120-DG

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™

Inventario:

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SCT10N120 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
690mOhm @ 6A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
290 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
HiP247™
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SCT10

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
SCT10N120 Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver

Información Adicional

Paquete Estándar
100
Otros nombres
497-16597-5

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
MSC360SMA120B
FABRICANTE
Microchip Technology
CANTIDAD DISPONIBLE
138
NÚMERO DE PIEZA
MSC360SMA120B-DG
PRECIO UNITARIO
4.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
G3R350MT12D
FABRICANTE
GeneSiC Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
5904
NÚMERO DE PIEZA
G3R350MT12D-DG
PRECIO UNITARIO
2.97
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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cr
certification_015
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