Número de Producto del Fabricante:
SCTH50N120-7
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
SCTH50N120-7-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 65A 270W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventario:
12877144
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SCTH50N120-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
65A
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
5.1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
270W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
SCTH50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SCTH50N120-7-DG
497-SCTH50N120-7DKR
497-SCTH50N120-7CT
497-SCTH50N120-7TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SCTH60N120G2-7
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SCTH60N120G2-7-DG
PRECIO UNITARIO
18.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
STF5N65M6
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
STD5N65M6
MOSFET N-CH 650V DPAK
STI360N4F6
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
