Número de Producto del Fabricante:
STD3NM60-1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STD3NM60-1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 42W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12873754
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ENVIAR
STD3NM60-1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
MDmesh™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
324 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
STD3N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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