Número de Producto del Fabricante:
STD6N60DM2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STD6N60DM2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
12877330
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ENVIAR
STD6N60DM2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.75V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
274 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
STD6N60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK5P60W,RVQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
9180
NÚMERO DE PIEZA
TK5P60W,RVQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.68
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
FCD5N60TM-WS
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
1550
NÚMERO DE PIEZA
FCD5N60TM-WS-DG
PRECIO UNITARIO
0.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
FCD4N60TM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
10613
NÚMERO DE PIEZA
FCD4N60TM-DG
PRECIO UNITARIO
0.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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