Número de Producto del Fabricante:
STH275N8F7-2AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STH275N8F7-2AG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventario:
2000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12875794
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ENVIAR
STH275N8F7-2AG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™ F7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
193 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13600 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
315W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STH275
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
-497-15473-1
-497-15473-2
497-15473-6
-497-15473-6
497-15473-2
497-15473-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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