Número de Producto del Fabricante:
STH80N10LF7-2AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STH80N10LF7-2AG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventario:
12946006
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ENVIAR
STH80N10LF7-2AG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 40A, 10V
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STH80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RSJ650N10TL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
970
NÚMERO DE PIEZA
RSJ650N10TL-DG
PRECIO UNITARIO
2.94
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
HUF75545S3ST
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
6270
NÚMERO DE PIEZA
HUF75545S3ST-DG
PRECIO UNITARIO
1.50
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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