Número de Producto del Fabricante:
STP35N65DM2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STP35N65DM2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12876724
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ENVIAR
STP35N65DM2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2540 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
STP35
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STW35N65DM2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
360
NÚMERO DE PIEZA
STW35N65DM2-DG
PRECIO UNITARIO
3.01
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
FCP130N60
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
127
NÚMERO DE PIEZA
FCP130N60-DG
PRECIO UNITARIO
2.72
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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