Número de Producto del Fabricante:
STW58N65DM2AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STW58N65DM2AG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
12870895
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ENVIAR
STW58N65DM2AG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
48A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
65mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4100 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
STW58
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-16137-5
-1138-STW58N65DM2AG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK39N60X,S1F
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
30
NÚMERO DE PIEZA
TK39N60X,S1F-DG
PRECIO UNITARIO
3.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
272
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5.48
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6.25
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
6.56
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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