Número de Producto del Fabricante:
TSM60NB099PW
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM60NB099PW-DG
Descripción:
600V, 38A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 38A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
12999391
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ENVIAR
TSM60NB099PW Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
38A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
99mOhm @ 11.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2587 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
329W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
TSM60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
12,000
Otros nombres
1801-TSM60NB099PW
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM60NB099PW C1G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
2055
NÚMERO DE PIEZA
TSM60NB099PW C1G-DG
PRECIO UNITARIO
4.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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