Número de Producto del Fabricante:
CSD16411Q3T
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD16411Q3T-DG
Descripción:
PROTOTYPE
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Inventario:
12996090
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ENVIAR
CSD16411Q3T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
-
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
+16V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
570 pF @ 12.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
CSD16411
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
296-CSD16411Q3T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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PROTOTYPE
