Número de Producto del Fabricante:
CSD18540Q5B
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
Número de pieza:
CSD18540Q5B-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Inventario:
12177 Pcs Nuevos Originales En Stock
12795086
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
CSD18540Q5B Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4230 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-VSON-CLIP (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
CSD18540
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Página del producto del fabricante
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
296-41076-2
296-41076-1
296-41076-6
-296-41076-1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
CSD25480F3T
MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
CSD18536KTT
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
CSD17556Q5B
MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON