Número de Producto del Fabricante:
SSM3J15FU,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3J15FU,LF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Inventario:
3484 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890803
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ENVIAR
SSM3J15FU,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
π-MOSVI
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
1.7V @ 100µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9.1 pF @ 3 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
USM
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Número de producto base
SSM3J15
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM3J15FULFTR
SSM3J15FU,LF(T
SSM3J15FU,LF(B
SSM3J15FULFCT
SSM3J15FULFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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