Número de Producto del Fabricante:
SSM3K59CTB,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM3K59CTB,L3F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount CST3B
Inventario:
12890195
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ENVIAR
SSM3K59CTB,L3F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 8V
rds activados (máx.) @ id, vgs
215mOhm @ 1A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
130 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
CST3B
Paquete / Caja
3-SMD, No Lead
Número de producto base
SSM3K59
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
264-SSM3K59CTB,L3FDKR
SSM3K59CTBL3FCT
264-SSM3K59CTB,L3FCT
SSM3K59CTB,L3F(A
SSM3K59CTBL3FDKR-DG
SSM3K59CTBL3FDKR
SSM3K59CTBL3FTR-DG
264-SSM3K59CTB,L3FTR
SSM3K59CTBL3FCT-DG
SSM3K59CTBL3FTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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