Número de Producto del Fabricante:
SSM5G10TU(TE85L,F)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM5G10TU(TE85L,F)-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Inventario:
40 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889139
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ENVIAR
SSM5G10TU(TE85L,F) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
U-MOSIII
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4V
rds activados (máx.) @ id, vgs
213mOhm @ 1A, 4V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.4 nC @ 4 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
UFV
Paquete / Caja
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Número de producto base
SSM5G10
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SSM5G10TU(TE85LF)CT
SSM5G10TU(TE85LF)DKR
SSM5G10TUTE85LF
SSM5G10TU(TE85LF)TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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