Número de Producto del Fabricante:
SSM6K217FE,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
SSM6K217FE,LF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventario:
25332 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891400
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ENVIAR
SSM6K217FE,LF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 8V
rds activados (máx.) @ id, vgs
195mOhm @ 1A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
130 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
ES6
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Número de producto base
SSM6K217
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SSM6K217FELFCT
SSM6K217FE,LF(A
SSM6K217FELFTR
SSM6K217FELFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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