Número de Producto del Fabricante:
TK100L60W,VQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK100L60W,VQ-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L)
Inventario:
444 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890607
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ENVIAR
TK100L60W,VQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15000 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
797W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P(L)
Paquete / Caja
TO-3PL
Número de producto base
TK100L60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
100
Otros nombres
TK100L60W,VQ(O
TK100L60WVQ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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