Número de Producto del Fabricante:
TK10A60W,S4X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK10A60W,S4X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
12890420
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ENVIAR
TK10A60W,S4X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
720 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
30W (Tc)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TK10A60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK10A60WS4X
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
CDM22011-600LRFP SL
FABRICANTE
Central Semiconductor Corp
CANTIDAD DISPONIBLE
578
NÚMERO DE PIEZA
CDM22011-600LRFP SL-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STF18N65M2
FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
3720
NÚMERO DE PIEZA
STF18N65M2-DG
PRECIO UNITARIO
1.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
966
NÚMERO DE PIEZA
STF11NM80-DG
PRECIO UNITARIO
2.95
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CANTIDAD DISPONIBLE
1639
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
1.36
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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