Número de Producto del Fabricante:
TK13E25D,S1X(S
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK13E25D,S1X(S-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 13A (Ta) 102W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
44 Pcs Nuevos Originales En Stock
12889248
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ENVIAR
TK13E25D,S1X(S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
102W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TK13E25
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK13E25DS1XS
TK13E25DS1X(S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF644PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1392
NÚMERO DE PIEZA
IRF644PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.65
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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