Número de Producto del Fabricante:
TK3A65D(STA4,Q,M)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK3A65D(STA4,Q,M)-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 3A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
47 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890339
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TK3A65D(STA4,Q,M) Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
π-MOSVII
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.25Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TK3A65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK3A65D(STA4QM)
TK3A65DSTA4QM
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFIBC30GPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1568
NÚMERO DE PIEZA
IRFIBC30GPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
TPCA8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
TK12P60W,RVQ(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
TPCA8021-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
