Número de Producto del Fabricante:
TK58A06N1,S4X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK58A06N1,S4X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
4 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890337
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ENVIAR
TK58A06N1,S4X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3400 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TK58A06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK58A06N1S4X
TK58A06N1,S4X-DG
TK58A06N1,S4X(S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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