TK58A06N1,S4X
Número de Producto del Fabricante:

TK58A06N1,S4X

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza:

TK58A06N1,S4X-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventario:

4 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890337
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

TK58A06N1,S4X Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3400 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220SIS
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
TK58A06

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
TK58A06N1S4X
TK58A06N1,S4X-DG
TK58A06N1,S4X(S

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

TK3A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCA8005-H(TE12LQM

MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK12P60W,RVQ(S

MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCA8021-H(TE12LQM

MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP