Número de Producto del Fabricante:
TK7J90E,S1E
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK7J90E,S1E-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventario:
25 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890324
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ENVIAR
TK7J90E,S1E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tube
Serie
π-MOSVIII
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 700µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P(N)
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
TK7J90
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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