Número de Producto del Fabricante:
TK8P60W,RVQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TK8P60W,RVQ-DG
Descripción:
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 8A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
12890262
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ENVIAR
TK8P60W,RVQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.7V @ 400µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
570 pF @ 300 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
TK8P60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
TK8P60W,RVQ(S
TK8P60WRVQDKR
TK8P60WRVQTR
TK8P60WRVQCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SPD08N50C3ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
12211
NÚMERO DE PIEZA
SPD08N50C3ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.77
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTY8N70X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
49
NÚMERO DE PIEZA
IXTY8N70X2-DG
PRECIO UNITARIO
1.41
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
20
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PRECIO UNITARIO
1.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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