Número de Producto del Fabricante:
TPH14006NH,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPH14006NH,L1Q-DG
Descripción:
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 14A (Ta) 1.6W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
12891583
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TPH14006NH,L1Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
14mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPH14006
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
TPH14006NH,L1Q(M
TPH14006NHL1QCT
TPH14006NHL1QDKR
TPH14006NHL1Q
TPH14006NHL1QTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TK14N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
SSM6J503NU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
TPCA8A01-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP
