Número de Producto del Fabricante:
TPH4R606NH,L1Q
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPH4R606NH,L1Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 32A (Ta) 1.6W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
4980 Pcs Nuevos Originales En Stock
12890603
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TPH4R606NH,L1Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3965 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.6W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
TPH4R606
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
TPH4R606NHL1QDKR
TPH4R606NHL1QTR
TPH4R606NHL1Q
TPH4R606NHL1QCT
TPH4R606NH,L1Q(M
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TPN2R703NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
TK3A60DA(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
TK100L60W,VQ
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
