Número de Producto del Fabricante:
TPH9R00CQ5,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
TPH9R00CQ5,LQ-DG
Descripción:
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 64A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
3785 Pcs Nuevos Originales En Stock
13005802
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TPH9R00CQ5,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
64A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5400 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-TPH9R00CQ5,LQTR-DG
264-TPH9R00CQ5,LQCT-DG
264-TPH9R00CQ5,LQDKR
264-TPH9R00CQ5,LQDKR-DG
264-TPH9R00CQ5LQDKR
TPH9R00CQ5,LQ(M1
264-TPH9R00CQ5,LQCT
264-TPH9R00CQ5LQCT
264-TPH9R00CQ5,LQTR
264-TPH9R00CQ5LQTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
GAN140-650EBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
XPJR6604PB,LXHQ
40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
PJQ4548VP-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
