Número de Producto del Fabricante:
XPJR6604PB,LXHQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza:
XPJR6604PB,LXHQ-DG
Descripción:
40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount S-TOGL™
Inventario:
2857 Pcs Nuevos Originales En Stock
13005807
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ENVIAR
XPJR6604PB,LXHQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.66mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11380 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
S-TOGL™
Paquete / Caja
5-PowerSFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
264-XPJR6604PB,LXHQDKR
264-XPJR6604PB,LXHQTR-DG
264-XPJR6604PBLXHQCT
XPJR6604PB,LXHQ(O
264-XPJR6604PB,LXHQCT
264-XPJR6604PB,LXHQDKR-DG
264-XPJR6604PB,LXHQTR
264-XPJR6604PB,LXHQCT-DG
264-XPJR6604PBLXHQTR
264-XPJR6604PBLXHQDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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