Número de Producto del Fabricante:
TPH3205WSBQA
Product Overview
Fabricante:
Transphorm
Número de pieza:
TPH3205WSBQA-DG
Descripción:
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
13446407
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ENVIAR
TPH3205WSBQA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Transphorm
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
62mOhm @ 22A, 8V
vgs(th) (máx.) @ id
2.6V @ 700µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2200 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
TPH3205
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFH60N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFH60N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
6.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
TP65H050WSQA
FABRICANTE
Transphorm
CANTIDAD DISPONIBLE
53
NÚMERO DE PIEZA
TP65H050WSQA-DG
PRECIO UNITARIO
12.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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