2N65G

Número de Producto del Fabricante:

2N65G

Product Overview

Fabricante:

UMW

Número de pieza:

2N65G-DG

Descripción:

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

Descripción Detallada:

N-Channel 650 V 2A (Tj) Surface Mount SOT-223

Inventario:

2453 Pcs Nuevos Originales En Stock

12991426

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2N65G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

UMW

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

UMW

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

650 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

2A (Tj)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

5.5Ohm @ 1A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

14.5 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

311 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

-

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

SOT-223

Paquete / Caja

TO-261-4, TO-261AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Otros nombres

4518-2N65GDKR

4518-2N65GCT

4518-2N65GTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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