Número de Producto del Fabricante:
IRFD113PBF
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
IRFD113PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
Inventario:
2315 Pcs Nuevos Originales En Stock
12948653
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ENVIAR
IRFD113PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
800mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 800mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
4-HVMDIP
Paquete / Caja
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de producto base
IRFD113
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
100
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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