Número de Producto del Fabricante:
SI7464DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7464DP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
2660 Pcs Nuevos Originales En Stock
12916236
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ENVIAR
SI7464DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
240mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SI7464
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7464DP-T1-GE3CT
SI7464DPT1GE3
SI7464DP-T1-GE3TR
SI7464DP-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSC22DN20NS3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
5719
NÚMERO DE PIEZA
BSC22DN20NS3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.42
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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