Número de Producto del Fabricante:
SI7790DP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7790DP-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
12920211
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI7790DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4200 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SI7790
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7790DP-T1-GE3TR
SI7790DPT1GE3
SI7790DP-T1-GE3CT
SI7790DP-T1-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SIR418DP-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
22680
NÚMERO DE PIEZA
SIR418DP-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.45
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIHG32N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
SIE726DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
SI8424CDB-T1-E1
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT