Número de Producto del Fabricante:
SI8429DB-T1-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI8429DB-T1-E1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
Descripción Detallada:
P-Channel 8 V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventario:
20174 Pcs Nuevos Originales En Stock
12917673
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI8429DB-T1-E1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
800mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
26 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1640 pF @ 4 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-Microfoot
Paquete / Caja
4-XFBGA, CSPBGA
Número de producto base
SI8429
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI8429DB-T1-E1DKR
SI8429DBT1E1
SI8429DB-T1-E1CT
SI8429DB-T1-E1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI3483CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
SQJA84EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
SIHS36N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247