Número de Producto del Fabricante:
SIHB35N60EF-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIHB35N60EF-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12 Pcs Nuevos Originales En Stock
12917423
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ENVIAR
SIHB35N60EF-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Bulk
Serie
EF
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
97mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2568 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SIHB35
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SIHB35N60EF-GE3CT-DG
SIHB35N60EF-GE3CTINACTIVE
SIHB35N60EF-GE3TR
SIHB35N60EF-GE3TR-DG
SIHB35N60EF-GE3DKR-DG
SIHB35N60EF-GE3DKRINACTIVE
SIHB35N60EF-GE3CT
SIHB35N60EF-GE3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCB070N65S3
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
375
NÚMERO DE PIEZA
FCB070N65S3-DG
PRECIO UNITARIO
3.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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