SIR466DP-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIR466DP-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIR466DP-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventario:

21764 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786270
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SIR466DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2730 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5W (Ta), 54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Número de producto base
SIR466

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIR466DP-T1-GE3TR
SIR466DP-T1-GE3CT
SIR466DPT1GE3
SIR466DP-T1-GE3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

SIS626DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIHG17N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC

vishay-siliconix

SIR108DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK

vishay-siliconix

SQD50N04-09H-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252