Número de Producto del Fabricante:
SQ9407EY-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQ9407EY-T1_GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 4.6A (Tc) 3.75W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
8320 Pcs Nuevos Originales En Stock
12920493
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SQ9407EY-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1140 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TA)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
SQ9407
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SQ9407EY-T1_GE3TR
SQ9407EY-T1_GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIR644DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SIHA25N60EFL-E3
MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220
SISS27ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
