SQA600CEJW-T1_GE3
Número de Producto del Fabricante:

SQA600CEJW-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQA600CEJW-T1_GE3-DG

Descripción:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 9A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK®SC-70W-6

Inventario:

4963 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997409
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SQA600CEJW-T1_GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
54.6mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
13.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK®SC-70W-6
Paquete / Caja
6-PowerVDFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SQA600CEJW-T1_GE3TR
742-SQA600CEJW-T1_GE3DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FDD6685-G

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

rohm-semi

RF4G100BGTCR

NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M

onsemi

NVH4L020N090SC1

SIC MOSFET 900V TO247-4L

panjit

PJMF390N65EC_T0_00001

650V SUPER JUNCITON MOSFET