Número de Producto del Fabricante:
SUP50020E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUP50020E-GE3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12787061
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ENVIAR
SUP50020E-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tube
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SUP50020
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SUP50020E-GE3DKRINACTIVE
SUP50020E-GE3CT
SUP50020E-GE3CT-DG
SUP50020E-GE3TR
SUP50020E-GE3TRINACTIVE
SUP50020E-GE3DKR
SUP50020E-GE3TR-DG
SUP50020E-GE3DKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDP023N08B-F102
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
890
NÚMERO DE PIEZA
FDP023N08B-F102-DG
PRECIO UNITARIO
1.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TK100E06N1,S1X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
11
NÚMERO DE PIEZA
TK100E06N1,S1X-DG
PRECIO UNITARIO
1.09
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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