WNSCM80120WQ

Número de Producto del Fabricante:

WNSCM80120WQ

Product Overview

Fabricante:

WeEn Semiconductors

Número de pieza:

WNSCM80120WQ-DG

Descripción:

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK

Descripción Detallada:

N-Channel 1200 V 42A (Ta) 230W (Ta) Through Hole TO-247-3

Inventario:

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12995333

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WNSCM80120WQ Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

WeEn Semiconductors

Embalaje

Bulk

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

42A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

20V

rds activados (máx.) @ id, vgs

98mOhm @ 20A, 20V

vgs(th) (máx.) @ id

4.5V @ 6mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

59 nC @ 20 V

Vgs (máx.)

+25V, -10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1350 pF @ 1000 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

230W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-247-3

Paquete / Caja

TO-247-3

Número de producto base

WNSCM80120

Información Adicional

Paquete Estándar

600

Otros nombres

934072808127

1740-WNSCM80120WQ

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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