FDFMA2P853
Número de Producto del Fabricante:

FDFMA2P853

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

Número de pieza:

FDFMA2P853-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

Inventario:

22471 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946796
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FDFMA2P853 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
435 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-MicroFET (2x2)
Paquete / Caja
6-VDFN Exposed Pad

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
FDFMA2P853 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar
825
Otros nombres
2156-FDFMA2P853
ONSONSFDFMA2P853

Clasificación Ambiental y de Exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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