Número de Producto del Fabricante:
630AT
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
630AT-DG
Descripción:
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
87 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001168
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ENVIAR
630AT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
250mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
509 pF @ 25 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
100
Otros nombres
3141-630AT
4822-630AT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
630AT
FABRICANTE
Goford Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
87
NÚMERO DE PIEZA
630AT-DG
PRECIO UNITARIO
0.30
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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