STF18N65DM2
Número de Producto del Fabricante:

STF18N65DM2

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STF18N65DM2-DG

Descripción:

DISCRETE
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220FP

Inventario:

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12995323
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STF18N65DM2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
295mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
965 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
STF18

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-STF18N65DM2

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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