Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Basque
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Basque
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
SIZ900DT-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SIZ900DT-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 24A 6PWRPAIR
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12786736
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SIZ900DT-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
24A, 28A
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.2mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1830pF @ 15V
Potencia - Máx.
48W, 100W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-PowerPair™
Paquete de dispositivos del proveedor
6-PowerPair™
Número de producto base
SIZ900
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SIZ900DT-T1-GE3
Hoja de datos HTML
SIZ900DT-T1-GE3-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIZ900DT-T1-GE3DKR
SIZ900DTT1GE3
SIZ900DT-T1-GE3CT
SIZ900DT-T1-GE3TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDMS7602S
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
1180
NÚMERO DE PIEZA
FDMS7602S-DG
PRECIO UNITARIO
0.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FDMS3604S
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FDMS3604S-DG
PRECIO UNITARIO
0.50
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STL66DN3LLH5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STL66DN3LLH5-DG
PRECIO UNITARIO
0.81
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SIZ710DT-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
16612
NÚMERO DE PIEZA
SIZ710DT-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
SQS966ENW-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
SIA511DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
SIZ340DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A/40A 8PWR33