IXFQ170N15X3
Número de Producto del Fabricante:

IXFQ170N15X3

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFQ170N15X3-DG

Descripción:

DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS TO
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 170A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventario:

12995321
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IXFQ170N15X3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
170A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7620 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
IXFQ170

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
238-IXFQ170N15X3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
ween-semiconductors

WNSCM80120WQ

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK

ween-semiconductors

WNSC2M1K0170WQ

WNSC2M1K0170W/TO247/STANDARD MAR

stmicroelectronics

SGT120R65AL

650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD